在半導體先進製程與先進封裝持續推進下，關鍵材料供應鏈的重要性日益凸顯。專注於高純度原子層沉積（ALD）前驅物研發與製造的宇川精材（7887），將於13日以每股76元登錄興櫃。市場看好其切入先進製程核心材料，有望在材料在地化與去風險化浪潮中，搶佔戰略位置。

　宇川精材董事長郭文哲表示，公司以「先進製程材料在地供應」為核心發展主軸，持續朝建構區域化半導體原子層前驅物材料生態系邁進，期待在全球半導體材料供應鏈中扮演更關鍵角色。

　早期以太陽能與化合物半導體材料為主，宇川精材近年加速轉型半導體級前驅物市場，主力產品聚焦ALD製程所需之高純度金屬有機前驅物；宇川指出，隨製程節點由FinFET邁向GAAFET、奈米片架構，元件結構立體化、深寬比提高，使傳統CVD與PVD技術面臨極限，ALD導入步驟與沉積層數持續增加，用量與價值隨之提升。

　因應客戶需求成長，宇川精材規劃斥資30億元於台南興建第二座工廠，基地面積逾8,000坪，新廠產能規模約為現有一廠的6～10倍，預計今年下半年動工，兩年後完工投產。

　宇川分析，半導體先進製程前驅物需兼具高揮發性、熱穩定性與極高純度，製造難度遠高一般化工材料。宇川精材具備自主合成關鍵前驅物能力，並建置通過TAF 認證的超微量分析實驗室，可檢測多達31種金屬元素，精度達0.01 ppb等級，確保材料符合晶圓廠嚴苛規範。

　宇川在南科設有可合法製造、分裝及儲存第三、四類高危險化學品的廠區，提供從合成、純化、檢測、分裝到鋼瓶清洗的一站式服務，兼顧供應安全與即時交付。

　法人直指，宇川精材最受矚目的突破，在於成功打入先進製程晶圓大廠供應鏈。其ALD前驅物「S 產品」目前全球僅少數廠商具備供應能力，宇川不僅是台灣唯一進入該供應體系的業者，也成為德國Merck、法國Air Liquide等國際大廠之外的重要新成員，凸顯其技術與品管已達國際級水準。

　從產業趨勢來看，AI伺服器快速成長推升HBM與先進封裝需求，TSV（矽穿孔）製程中，高深寬比結構對介電與金屬沉積均勻性要求更高，使ALD在記憶體與先進封裝領域的應用擴大，對前驅物材料形成長期利多。