全球電源管理領導廠商台達子公司碇基半導體（Ancora Semicond uctor
Inc.），宣布最新雙面散熱GaN氮化鎵場效應電晶體，通過一 系列嚴格的
DMTBF（Demonstrated Mean Time Between Failures）測 試。

　　此一測試，已驗證碇基獨有的雙面散熱元件FET-E6007PD020，其專 利雙面
散熱結構能有效地分離電氣和熱，進一步解決高功率產品的熱 導問題，在20萬
小時的長時間運作下，仍能維持優越效能，突顯其產 品的高信賴性與可靠度。

　　碇基的產品，已應用於台達和威剛合作開發的鈦金級電源供應器X PG
FUSION 1600W上。這次聯手台達及威剛，進一步滿足了客戶對高 效能電源的
需求，提供更可靠的解決方案。

　　碇基總經理邢泰剛博士表示，寬能隙半導體GaN元件的應用，為電 力電子
帶來了革命性的突破。運用GaN優異的物理特性，能夠實現高 效能和小型化。
除了此款650V雙面散熱的GaN元件FET-E6007PD020， 碇基半導體將持續拓展產
品線，提供更多樣化的氮化鎵元件，以滿足 不同的設計需求。

　　台達電源及系統事業群總經理陳盈源指出，DMTBF測試結果證明了 碇基產
品的可靠性和穩定性，可實現更高的功率密度和更強大的節能 效果。期待碇基
推出更多產品，持續加速雙邊在高功率電源供應器的 合作，為全球客戶提供更
優質的產品和服務。

　　碇基這款產品，易於實現頂部散熱應用，同時具有降低電熱耦合風 險、促
進散熱效能等特點。

　　此外，特殊的封裝結構可減少寄生電感，提高電源產品的效率，在 高效
能、高密度、高頻率和溫度控制方面表現更出色。

　　此系列產品各項表現，更能滿足於伺服器、AI人工智慧、高效能運 算、醫
療、網通等先進應用。碇基在氮化鎵功率半導體領域擁有15年 以上的專業經
驗，全球已累積超過200件高價值專利。

　　多年來，與台積電、羅姆半導體（ROHM Co., Ltd）等業界領導公 司緊密的
合作，致力於為客戶提供優質的寬能隙半導體解決方案。